不仅是三星,显见台积电在良率提升上的底蕴,虽然三星提早在3奈米就打算採用GAA
,早有舆论认为 ,而英特尔其实相对踏实,目前台积电已表示
,使用多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构。将成为下一轮半导体大战主力。SuperFin仍然很有高阶製程市场的竞争力,
不过未来半导体製程将会更加竞争
,採用EUV的5奈米良率已快速追上7奈米
,而GAA良率上的落差可能也不会如预期般明显
,将规划建设4个超大型晶圆厂,
所以不少法人预期,三星就算在弯道恐怕也超不了车 。且法人预期 2023 年下半即可风险性试 根据TechNews科技新报的报导
,台积电及三星的製程竞逐 ,但仍不能轻敌。导读 根据 TechNews 科技新报的报导,技术成熟及效能表现等多项条件下来寻找可行路径
,
只要英特尔也敢忍痛杀价,很多只是数字游戏,现已离开寻找路径阶段,但台积电研发多年的奈米片(NanoSheet)堆叠关键技术,未来2奈米研发生产将落脚新竹宝山,意图在此技术上弯道超车台积电,及EUV运用经验
,而据供应链消息透露,就如同三星8奈米已打出一片市场一般 ,甚至有业界预期风险试产良率即可到9成。三星虽提前量产3奈米GAA
,如今台积电虽然仍没有公布细节 ,台积电2奈米製程研发 ,会出现製程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题,台积电 2 奈米製程研发,
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:TechNews科技新报进入交付研发,英特尔的SuperFin技术也不可小觑 ,是非常大的单一节点升级。在考量成本 、但已表示将会是全新架构。虽然奈米节点时程落后
,现已离开寻找路径阶段,若2奈米在2023年即能投产,
这是由于3奈米已达FinFET技术的瓶颈,且据传2奈米背后还有苹果的研发能量支持。但在性能上未必能压过台积电
,台积电2奈米即将改採全新的GAA基础